生产的正式启动,闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图,该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品,并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。 HBF是高带宽闪存,其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似,是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。“HBM之父”韩国科学技术院(KAIST)教授金正浩认为,HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量
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发布时间:04:53:49