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道则要残酷得多。DRAM的性能提升高度依赖平面晶体管和电容结构的极限微缩,这意味着先进光刻机是绕不开的核心瓶颈。长鑫目前已实现17nm D4z节点DRAM的规模化量产,DDR5/LPDDR5X速率已达国际主流水准,但其量产节点较三星、SK海力士的1b纳米(约12-13nm)仍存在约两至三年的代际差距。HBM领域的追赶更为艰难——长鑫目前尚处于HBM2验证阶段,HBM3预计2026年底量产,而三星与

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发布时间:15:04:13